Con l'ausilio di tecniche di bulk micromachining del silicio dal fronte per la fabbricazione di substrati termoriscaldanti di ridottissime dimensioni e di un processo a livello wafer di deposizione di film nanostrutturati di ossidi metallici semiconduttori sono stati realizzati sensori MOX a bassissimo consumo. Un singolo sensore necessita soli 8mW per raggiungere la temperatura operativa di 400°C, ed è in grado di rilevare concentrazioni di benzene dell'ordine di alcune parti per miliardo (ppb). I sensori basati su questa tecnologia sono stati sviluppati per essere compatibili con tecniche di bonding su substrato flessibile e modalità di funzionamento in pulsata, ed hanno permesso di realizzare prototipi di tag RFID dotati di sensori chimici.
Sensori MOX a bassissimo consumo
Zampolli S;Elmi I;Cardinali GC;Tamarri F;Sanmartin M;Mancarella F;Severi M
2007
Abstract
Con l'ausilio di tecniche di bulk micromachining del silicio dal fronte per la fabbricazione di substrati termoriscaldanti di ridottissime dimensioni e di un processo a livello wafer di deposizione di film nanostrutturati di ossidi metallici semiconduttori sono stati realizzati sensori MOX a bassissimo consumo. Un singolo sensore necessita soli 8mW per raggiungere la temperatura operativa di 400°C, ed è in grado di rilevare concentrazioni di benzene dell'ordine di alcune parti per miliardo (ppb). I sensori basati su questa tecnologia sono stati sviluppati per essere compatibili con tecniche di bonding su substrato flessibile e modalità di funzionamento in pulsata, ed hanno permesso di realizzare prototipi di tag RFID dotati di sensori chimici.I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
