TAMARRI, FABRIZIO

TAMARRI, FABRIZIO  

Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
Estimation of Activation and Compensation Ratios in Al+ ion Implanted 4H-SiC: Comparison of Two Methodologies 1-gen-2022 Nipoti, Roberta; Boldrini, Virginia; Canino, Mariaconcetta; Tamarri, Fabrizio; Vantaggio, Salvatore; Parisini, Antonella
Experimental analysis and simulation of the optical properties of gold nano-particles on sodium alginate 1-gen-2022 Summonte, Caterina; Maurizi, Alberto; Rizzoli, Rita; Tamarri, Fabrizio; Bertoldo, Monica; Bolognini, Gabriele; Maccagnani, Piera
GC-QEPAS: A MEMS-ENABLED PORTABLE TRACE CHEMICAL SENSOR FOR SAFETY & SECURITY APPLICATIONS 1-gen-2019 Mengali, Sandro; Elmi, Ivan; Masini, Luca; Bonafe, Filippo; Tamarri, Fabrizio; Sanmartin, Michele; Viola, Roberto; Liberatore, Nicola; Zampolli, Stefano
Fully Ion Implanted Vertical p-i-n Diodes on High Purity Semi-Insulating 4H-SiC Wafers 1-gen-2012 R. Nipoti; A. Nath; YL. Tian; F. Tamarri; F. Moscatelli; P. De Nicola; Mulpuri V. Rao
Fully Ion Implanted Vertical p-i-n Diodes on High Purity Semi-Insulating 4H-SiC Wafers 1-gen-2011 R. Nipoti; A. Nath; YL. Tian; F. Tamarri; F. Moscatelli; P. De Nicola; Mulpuri V. Rao
Micromachined gas calibration sources based on nanometric depth microchannels 1-gen-2010 Zampolli, S; Elmi, I; Mancarella, F; Messina, M; Marra, G; Cozzani, E; Belluce, M; Tamarri, F; Sanmartin, M; Cardinali, G C; Severi, M
Effects of N implantation before Gate Oxidation on the Performance of 4H-SiC MOSFET 1-gen-2009 Poggi, A; Moscatelli, F; Solmi, S; Nipoti, R; Tamarri, F; Pizzochero, G
Room temperature annealing effects on leakage current of ion implanted p+n 4H-SiC diodes 1-gen-2009 Moscatelli, Francesco; Bergamini, Fabio; Poggi, Antonella; Passini, Mara; Tamarri, Fabrizio; Bianconi, Marco; Nipoti, Roberta
Room temperature annealing effects on leakage current of ion implanted p+n 4H-SiC diodes 1-gen-2009 Moscatelli, F; Bergamini, F; Poggi, A; Passini, M; Tamarri, F; Bianconi, M; Nipoti, R
An improved detection system for low energy Scanning Transmission Electron Microscopy 1-gen-2008 Morandi, V; Migliori, A; Maccagnani, P; Tamarri, F; Ferroni, M
Characterization of MOS capacitors fabricated on n-type 4H-SiC implanted with nitrogen at high dose 1-gen-2007 Poggi, A; Moscatelli, F; Hijikata, Y; Solmi, S; Sanmartin, M; Tamarri, F; Nipoti, R
Characterization of MOS capacitors fabricated on n-type 4H-SiC implanted with nitrogen at high dose 1-gen-2007 Poggi; Antonella;Moscatelli; Francesco;Hijikata; Yasuto;Solmi; Sandro;Sanmartin; Michele;Tamarri; Fabrizio;Nipoti; Roberta
Gas-cromatografo miniaturizzato per applicazioni agroalimentari 1-gen-2007 Elmi, I; Zampolli, S; Cardinali, Gc; Zani, A; Masini, L; Scorzoni, A; Tamarri, F; Passini, M; Sanmartin, M; Severi, M; Siciliano, P; Francioso, L; Capone, S
Gas-cromatografo miniaturizzato per applicazioni di monitoraggio ambientale 1-gen-2007 Zampolli, S; Elmi, I; Cardinali, Gc; Zani, A; Masini, L; Scorzoni, A; Tamarri, F; Pizzochero, G; Guerri, S; Cozzani, E Passini M; Sanmartin, M; Severi, M
Material Properties Measurement and Numerical Simulation for Characterization of Ultra-Low-Power Consumption Hotplates 1-gen-2007 Cozzani, E; Roncaglia, A; Zampolli, S; Elmi, I; Mancarella, F; Tamarri, F; Cardinali, Gc
Realizzazione di matrici monolitiche di rivelatori SPAD 1-gen-2007 Maccagnani, Piera; Rech, Ivan; Tamarri, Fabrizio; Sanmartin, Michele; Bronzoni, Cristiana
Sensori MOX a bassissimo consumo 1-gen-2007 Zampolli, S; Elmi, I; Cardinali, Gc; Cozzani, E; Tamarri, F; Sanmartin, M; Passini, M; Mancarella, F; Roncaglia, A Guerri S; Severi, M
Sviluppo di matrici monolitiche di rivelatori SPAD da interfacciare a matrici di microarray biologici per analisi di allergeni 1-gen-2007 Maccagnani, Piera; Rech, Ivan; Tamarri, Fabrizio; Sanmartin, Michele; Bronzoni, Cristiana
A comparison among different technological processes for the fabrication of polysilicon-based thermoelectric transducers 1-gen-2006 Mancarella F; Roncaglia A; Tamarri F; Elmi I; Cardinali GC; Severi M
Characterization of MOS capacitors fabricated on n-type 4H-SiC 1-gen-2006 Poggi A.; Moscatelli F.; Hijikata Y.; Solmi S.; Sanmartin M.; Tamarri F.; Nipoti R.