Con questo codice è possibile simulare la crescita epitasiale del SiC al variare di diversi parametri di crescita (temperatura, growth rate) e del substrato (orientazione, angolo di taglio, ...). Possono essere inoltre introdotti diversi tipi di difetti cristallografici e vedere la loro stabilità nelle condizioni di processo utilizzate. Possono essere inoltre studiati gli effetti dei parametri di processo sulla struttura della superficie.
Codice Montecarlo per la simulazione della crescita del SiC (3C e 4H)
Antonino La Magna;Francesco La Via
2008
Abstract
Con questo codice è possibile simulare la crescita epitasiale del SiC al variare di diversi parametri di crescita (temperatura, growth rate) e del substrato (orientazione, angolo di taglio, ...). Possono essere inoltre introdotti diversi tipi di difetti cristallografici e vedere la loro stabilità nelle condizioni di processo utilizzate. Possono essere inoltre studiati gli effetti dei parametri di processo sulla struttura della superficie.File in questo prodotto:
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