Deposizione di pochi strati di grafene di alta qualità mediante C-CVD utilizzando Ni/SiO2 come catalizzatore.

Processo di deposizione C-CVD selettiva di pochi strati di grafene su larga area

2010

Abstract

Deposizione di pochi strati di grafene di alta qualità mediante C-CVD utilizzando Ni/SiO2 come catalizzatore.
2010
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
grafene
sintesi C-CVD
few-layer graphene
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/195688
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