Si è messo a punto un processo di riduzione termica in alto vuoto di ossido di grafene. Si sono realizzate membrane di ossido di grafene ridotto in foglietti di diversa dimensione, definita durante la preparazione chimico-fisica dell'ossido di grafene. Questo processo è stato ottimizzato al fine di realizzare dei dispositivi TFT a base di compositi grafene - politiofene (paper: A. Liscio, G.P. Veronese, E. Treossi, F. Suriano, R. Rizzoli, P. Samorì, V. Palermo, "Charge transport in graphene-polythiophene blends as studied by Kelvin Probe Force Microscopy and transistor characterization- J. Mater. Chem, 21 (9) (2011) pp 2924 - 2931)

Processo di riduzione termica in vuoto di ossido di grafene in foglietti di dimensioni definite durante la preparazione chimico-fisica

RRizzoli;
2010

Abstract

Si è messo a punto un processo di riduzione termica in alto vuoto di ossido di grafene. Si sono realizzate membrane di ossido di grafene ridotto in foglietti di diversa dimensione, definita durante la preparazione chimico-fisica dell'ossido di grafene. Questo processo è stato ottimizzato al fine di realizzare dei dispositivi TFT a base di compositi grafene - politiofene (paper: A. Liscio, G.P. Veronese, E. Treossi, F. Suriano, R. Rizzoli, P. Samorì, V. Palermo, "Charge transport in graphene-polythiophene blends as studied by Kelvin Probe Force Microscopy and transistor characterization- J. Mater. Chem, 21 (9) (2011) pp 2924 - 2931)
2010
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Ossido di grafene
riduzione termica
ù
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/195689
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