CNR Institutional Research Information System

Experimental and theoretical analysis of dopant activation in double implanted silicon by pulsed laser thermal annealing

Fisicaro G;La Magna A;Privitera V;
2009
2009
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
978-1-4244-3815-0
04.01 Contributo in Atti di convegno
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/201929
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact