CNR Institutional Research Information System

Experimental and theoretical analysis of dopant activation in double implanted silicon by pulsed laser thermal annealing

Fisicaro G;La Magna A;Privitera V;
2009
2009
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Inglese
17th IEEE Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors, RTP 2009
978-1-4244-3815-0
Sì, ma tipo non specificato
29/9/2009
Albany (USA)
12
none
Huet, K; Boniface, C; Fisicaro, G; Desse, F; Variam, N; Erokhin, Y; La Magna, A; Privitera, V; Schuhmacher, M; Besaucele, H; Venturini, ; J,
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
04.01 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/201929
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