CNR Institutional Research Information System

Growth kinetics of a displacement field in hydrogen implanted single crystalline silicon

R Balboni
1998
1998
Inglese
83
8
4106
4110
5
2-s2.0-0000490155
Sì, ma tipo non specificato
ROCKING-CURVE ANALYSIS
ANNEALING TREATMENTS
DEFECTS
1
info:eu-repo/semantics/article
262
D Bisero; F Corni; S Frabboni; R Tonini; G Ottaviani; R Balboni
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
01.01 Articolo in rivista
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