CNR Institutional Research Information System

Noise performance of polycrystalline silicon thin-film transistors made by sequential lateral solidification.

Valletta A;Mariucci L;Pecora A;Fortunato G
2003
2003
Istituto di fotonica e nanotecnologie - IFN
WOS:000182258800053
82
2709
2-s2.0-0038221262
polycrystalline sili
thin film transistor
low-frequency noise
Questo articolo riguarda aspetti del rumore a bassa frequenza nei transistor a film sottile di silicio policristallino e si inquadra nell’ambito di una più ampia attività sulla fisica e tecnologia dei dispositivi a silicio policristallino in corso da diversi anni presso l’IFN-CNR. Tra le tecniche di caratterizzazione di tali dispositivi l’IFN-CNR è stato pioniere sull’analisi del rumore a bassa frequenza e tale attività viene riconosciuta a livello internazionale. I.F. 4.2; citazioni: 0
5
info:eu-repo/semantics/article
262
Bonfiglietti, A; Valletta, A; Mariucci, L; Pecora, A; Fortunato, G
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
01.01 Articolo in rivista
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/22627
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