CNR Institutional Research Information System

Surface scattering effects in polysilicon thin film transistors.

Valletta A;Mariucci L;Fortunato G;
2003
2003
Istituto di fotonica e nanotecnologie - IFN
82
3119
2-s2.0-0037851757
polycrystalline sili
thin film transistor
field effect mobilit
Questo articolo nasce dall’attività svolta nell’ambito del contratto di ricerca con Philips Research Lab (Redhill, UK), riguardante una serie di aspetti della fisica dei transistor a film sottile di silicio policristallino. I.F. 4.2; citazioni: 1
4
info:eu-repo/semantics/article
262
Valletta, A; Mariucci, L; Fortunato, G; Brotherton, Sd
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
01.01 Articolo in rivista
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/22628
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