CNR Institutional Research Information System

Analysis of electrical characteristics of gate overlapped lightly doped drain (GOLDD) polysilicon thin film transistors with different LDD doping concentration.

Cuscunà M;Valletta A;Mariucci L;Pecora A;Fortunato G;
2003
2003
Istituto di fotonica e nanotecnologie - IFN
01.01 Articolo in rivista
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