A new self consistent model for the analysis of hot-carrier induced degradation in lightly doped drain (LDD) and gate overlapped LDD polysilicon TFTS.
Valletta A;Mariucci L;Pecora A;Fortunato G;
2003
Abstract
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.