Oxidation kinetics of AlAs and (AlGa)As layers in GaAs-based diode laser structures: comparative analysis of available experimental data.

Passaseo A;Fiore A
2003

Abstract

2003
Istituto di fotonica e nanotecnologie - IFN
19
333
13
info:eu-repo/semantics/article
262
Nakwaski, W; Wasiak, M; Mackowiak, P; Bedyk, W; Osinski, M; Passaseo, A; Tasco, V; Todaro, Mt; De Vittorio, M; Joray, R; Chen, Jx; Stanley, Rp; Fiore,...espandi
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/22645
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact