Here we demonstrate a new architecture for ambipolar device, termed multi-stripe OFET (MSOFET), where the current flows through a planar array of precisely-defined sub-micrometric stripes (wires) made of two types of highly-ordered organic semiconductors

Ambipolar Multi-Stripe Organic Field-Effect Transistors

Cavallini M;D'Angelo P;Gentili D;Milita S;Liscio F;Biscarini F
2011

Abstract

Here we demonstrate a new architecture for ambipolar device, termed multi-stripe OFET (MSOFET), where the current flows through a planar array of precisely-defined sub-micrometric stripes (wires) made of two types of highly-ordered organic semiconductors
2011
Istituto per lo Studio dei Materiali Nanostrutturati - ISMN
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Istituto dei Materiali per l'Elettronica ed il Magnetismo - IMEM
Ambipolar field effect transistor
Organic field effect transistors
Organic Electronics
perylene
pentacene
nanowires
nanostripes
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/237851
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