CNR Institutional Research Information System

Mechanisms of breakdown in semi-insulating GaAs detectors under high reverse bias conditions studied by EBIC and OBIC

M Mazzer;A Cola;M De Vittorio;
1997
1997
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
0750304642
04.01 Contributo in Atti di convegno
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/241620
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact