Semi-analytical model for the transient operation of gate-all-around charge-trap memories

2011

2011
Istituto di fotonica e nanotecnologie - IFN
58
3116
3123
6
info:eu-repo/semantics/article
262
Amoroso, Sm; C Monzio Compagnoni, ; Mauri, A; Maconi, A; A Sottocornola Spinelli, ; Lacaita, Al
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
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