L'obiettivo del progetto è lo sviluppo e la caratterizzazione di eterostrutture a base di GaN cresciute su differenti substrati. In particolare, l'attività sarà suddivisa in tre principali linee. In una prima linea di ricerca, verranno sviluppati dei processi di crescita selettiva di p-GaN al fine di superare uno dei punti critici della tecnologia HEMT normally-off, eliminando gli attacchi in plasma selettivo dalla fabbricazione del dispositivo. Ci si aspetta in tal modo di ridurre la corrente di leakage ed ottenere dispositivi con tensioni di soglia di 1.5 V. In una seconda linea, verranno fabbricati dei transistors su eterostrutture AlGaN/GaN cresciute su SiC a basso angolo di taglio (2-gradi-off), al fine di verificare l'isotropia delle proprietà del gas bidimensionale di elettroni. Infine, in una terza linea, verranno testate le caratteristiche elettriche di campioni di GaN bulk attraverso la fabbricazione di diodi Schottky verticali. Lo scopo è quello di avere informazioni sulla qualità del materiale e testarne le potenzialità per applicazioni a tensioni di breakdown di 600V. La crescita del materiale verrà effettuata presso l'Institute of High Pressure Physics (Polonia) mentre presso IMM-CNR di Catania verranno messi a punto i processi di fabbricazione dei dispositivi e la loro caratterizzazione elettrica.
Energy efficiency Through Novel AlGaN/GaN heterostructures (ETNA)
F Roccaforte;G Greco;
2014
Abstract
L'obiettivo del progetto è lo sviluppo e la caratterizzazione di eterostrutture a base di GaN cresciute su differenti substrati. In particolare, l'attività sarà suddivisa in tre principali linee. In una prima linea di ricerca, verranno sviluppati dei processi di crescita selettiva di p-GaN al fine di superare uno dei punti critici della tecnologia HEMT normally-off, eliminando gli attacchi in plasma selettivo dalla fabbricazione del dispositivo. Ci si aspetta in tal modo di ridurre la corrente di leakage ed ottenere dispositivi con tensioni di soglia di 1.5 V. In una seconda linea, verranno fabbricati dei transistors su eterostrutture AlGaN/GaN cresciute su SiC a basso angolo di taglio (2-gradi-off), al fine di verificare l'isotropia delle proprietà del gas bidimensionale di elettroni. Infine, in una terza linea, verranno testate le caratteristiche elettriche di campioni di GaN bulk attraverso la fabbricazione di diodi Schottky verticali. Lo scopo è quello di avere informazioni sulla qualità del materiale e testarne le potenzialità per applicazioni a tensioni di breakdown di 600V. La crescita del materiale verrà effettuata presso l'Institute of High Pressure Physics (Polonia) mentre presso IMM-CNR di Catania verranno messi a punto i processi di fabbricazione dei dispositivi e la loro caratterizzazione elettrica.I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
