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ROCCAFORTE, FABRIZIO

ROCCAFORTE, FABRIZIO  

Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
4H-SiC MOSFET Threshold Voltage Instability Evaluated via Pulsed High-Temperature Reverse Bias and Negative Gate Bias Stresses 1-gen-2024 Anoldo, Laura; Zanetti, Edoardo; Coco, Walter; Russo, Alfio; Fiorenza, Patrick; Roccaforte, Fabrizio
Comparing post-deposition and post-metallization annealing treatments on Al2O3/GaN capacitors for different metal gates 1-gen-2024 Schiliro', E.; Greco, G.; Fiorenza, P.; Panasci, S. E.; Di Franco, S.; Cordier, Y.; Frayssinet, E.; Lo Nigro, R.; Giannazzo, F.; Roccaforte, F.
Electrical and Structural Properties of Ohmic Contacts of SiC Diodes Fabricated on Thin Wafers 1-gen-2024 Badalà, Paolo; Bongiorno, Corrado; Fiorenza, Patrick; Bellocchi, Gabriele; Smecca, Emanuele; Vivona, Marilena; Zignale, Marco; Massimino, Maurizio; Deretzis, Ioannis; Rascunà, Simone; Frazzica, Marcello; Boscaglia, Massimo; Roccaforte, Fabrizio; La Magna, Antonino; Alberti, Alessandra
Gold‐Assisted Exfoliation of Large‐Area Monolayer Transition Metal Dichalcogenides: From Interface Properties to Device Applications 1-gen-2024 Panasci, SALVATORE ETHAN; Schiliro', Emanuela; Roccaforte, Fabrizio; Giannazzo, Filippo
Impact of the NO annealing duration on the SiO2/4H–SiC interface properties in lateral MOSFETs: The energetic profile of the near-interface-oxide traps 1-gen-2024 Fiorenza, Patrick; Zignale, Marco; Camalleri, Marco; Scalia, Laura; Zanetti, Edoardo; Saggio, Mario; Giannazzo, Filippo; Roccaforte, Fabrizio
Improvement of Ti/Al/Ti Ohmic contacts on AlGaN/GaN heterostructures by insertion of a thin carbon interfacial layer 1-gen-2024 Greco, G.; Di Franco, S.; Lo Nigro, R.; Bongiorno, C.; Spera, M.; Badala, P.; Iucolano, F.; Roccaforte, F.
Interface Properties of MoS2 van der Waals Heterojunctions with GaN 1-gen-2024 Panasci, S. E.; Deretzis, I.; Schiliro', E.; La Magna, A.; Roccaforte, F.; Koos, A.; Nemeth, M.; Pecz, B.; Cannas, M.; Agnello, S.; Giannazzo, F.
Schottky contacts on sulfurized silicon carbide (4H-SiC) surface 1-gen-2024 Roccaforte, Fabrizio; Vivona, Marilena; Panasci, Salvatore Ethan; Greco, Giuseppe; Fiorenza, Patrick; Sulyok, Attila; Koos, Antal; Pecz, Bela; Giannazzo, Filippo
Silicon Carbide materials and devices: power electronics and innovative applications 1-gen-2024 Roccaforte, F.; Alquier, D.; Kimoto, T.; Agarwal, A.
Tailoring MoS2 domains size, doping, and light emission by the sulfurization temperature of ultra-thin MoOx films on sapphire 1-gen-2024 Panasci, S. E.; Schiliro', E.; Koos, A.; Roccaforte, F.; Cannas, M.; Agnello, S.; Pecz, B.; Giannazzo, F.
Thermionic Field Emission in the Lifetime Estimation of p-GaN Gate HEMTs 1-gen-2024 Greco, G.; Fiorenza, P.; Giannazzo, F.; Vivona, M.; Venuto, C.; Iucolano, F.; Roccaforte, F.
Towards aluminum oxide/aluminum nitride insulating stacks on 4H–SiC by atomic layer deposition 1-gen-2024 Galizia, Bruno; Fiorenza, Patrick; Schilirò, Emanuela; Pecz, Bela; Foragassy, Zsolt; Greco, Giuseppe; Saggio, Mario; Cascino, Salvatore; Lo Nigro, Raffaella; Roccaforte, Fabrizio
Al2O3 Layers Grown by Atomic Layer Deposition as Gate Insulator in 3C-SiC MOS Devices 1-gen-2023 Schiliro, Emanuela; Fiorenza, Patrick; Lo Nigro, Raffaella; Galizia, Bruno; Greco, Giuseppe; Di Franco, Salvatore; Bongiorno, Corrado; La Via, Francesco; Giannazzo, Filippo; Roccaforte, Fabrizio
Current transport in Ni Schottky barrier on GaN epilayer grown on free standing substrates 1-gen-2023 Greco, G.; Fiorenza, P.; Schiliro, E.; Bongiorno, C.; Di Franco, S.; Coulon, P. -M.; Frayssinet, E.; Bartoli, F.; Giannazzo, F.; Alquier, D.; Cordier, Y.; Roccaforte, F.
Direct atomic layer deposition of ultra-thin Al2O3 and HfO2 films on gold-supported monolayer MoS2 1-gen-2023 Schiliro', E; Panasci, S. E.; Mio, Am; Nicotra, G; Agnello, S; Pecz, B; Z Radnoczi, Gy; Deretzis, I; La Magna, A.; Roccaforte, F; Lo Nigro, R.; Giannazzo, F
Highly Homogeneous 2D/3D Heterojunction Diodes by Pulsed Laser Deposition of MoS2 on Ion Implantation Doped 4H-SiC 1-gen-2023 Giannazzo, F.; Panasci, S. E.; Schiliro', E.; Fiorenza, P.; Greco, G.; Roccaforte, F.; Cannas, M.; Agnello, S.; Koos, A.; Pecz, B.; Spankova, M.; Chromik, S.
Interface Structure and Doping of Chemical Vapor Deposition-Grown MoS2 on 4H–SiC by Microscopic Analyses and Ab Initio Calculations 1-gen-2023 Panasci, S. E.; Deretzis, I.; Schiliro', E.; La Magna, A.; Roccaforte, F.; Koos, A.; Pecz, B.; Agnello, S.; Cannas, M.; Giannazzo, F.
Isolation of bidimensional electron gas in AlGaN/GaN heterojunction using Ar ion implantation 1-gen-2023 Scandurra, Antonino; Testa, Matteo; Franzo', Giorgia; Greco, Giuseppe; Roccaforte, Fabrizio; Eloisa Castagna, Maria; Calabretta, Cristiano; Severino, Andrea; Iucolano, Ferdinando; Bruno, Elena; Mirabella, Salvatore
Large-Area MoS2 Films Grown on Sapphire and GaN Substrates by Pulsed Laser Deposition 1-gen-2023 Spankova, M.; Chromik, S.; Dobrocka, E.; Pribusova Slusna, L.; Talacko, M.; Gregor, M.; Pecz, B.; Koos, A.; Greco, G.; Panasci, S. E.; Fiorenza, P.; Roccaforte, F.; Cordier, Y.; Frayssinet, E.; Giannazzo, F.
Space charge limited current in 4H-SiC Schottky diodes in the presence of stacking faults 1-gen-2023 Vivona, M.; Fiorenza, P.; Scuderi, V.; La Via, F.; Giannazzo, F.; Roccaforte, F.