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Special Issue: The route to post-Si CMOS devices: From high mobility channels to graphene-like 2D nanosheets Preface

Molle Alessandro;
2014
2014
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Inglese
WOS:000329327700001
291
1
2
2
1
info:eu-repo/semantics/article
262
Molle, Alessandro; Dimoulas, Athanasios; Le Lay, Guy; Lemme, Max
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
   Strongly anisotropic Graphite-like semiconductor/dielectric 2D nanolattices
   2D-NANOLATTICES
   FP7
   270749
01.01 Articolo in rivista
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/264685
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