Erratum: "Influence of boron doping and hydrogen passivation on recombination of photoexcited charge carriers in silicon nanocrystal/SiC multilayers

M Canino;C Summonte;
2014

2014
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Inglese
116
189902-1
189902-1
1
http://scitation.aip.org/content/aip/journal/jap/116/18/10.1063/1.4902006
Sì, ma tipo non specificato
silicon nanocrystals
photoluminescence
boron doping
10
info:eu-repo/semantics/article
262
Koínek, M; Schnabel, M; Canino, M; Kozák, M; Trojánek, F; Salava, J; Löper, P; Janz, S; Summonte, C; Malý, P
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
   SILICON NANODOTS FOR SOLAR CELL TANDEM
   NASCENT
   FP7
   245977
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/285229
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