CNR Institutional Research Information System

[object Object]

Effects of fabrication parameters on the electrical stability of gate overlapped lightly doped drain polysilicon thin-film transistors

Valletta Antonio;Rapisarda Matteo;Mariucci Luigi;Fortunato Guglielmo
2006

Abstract

[object Object]
2006
Istituto di fotonica e nanotecnologie - IFN
Inglese
WOS:000238156600020
45
5B
4384
4388
2-s2.0-33744481026
http://www.scopus.com/record/display.url?eid=2-s2.0-33744481026&origin=inward
Gate overlapped lightly doped drain (GOLDD)
Hot carrier effect (HCE)
Kink effect
Thin-film transistors (TFTs)
5
info:eu-repo/semantics/article
262
Bonfiglietti, Alessandra; Valletta, Antonio; Rapisarda, Matteo; Mariucci, Luigi; Fortunato, Guglielmo
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
01.01 Articolo in rivista
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/287219
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 1
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 1
social impact