Effect of annealing at high hydrostatic pressure of silicon implanted with helium and oxygen

2002

2002
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
65
0
info:eu-repo/semantics/article
262
Misiuk A.; Katcki J.; Ratajcza J.; Raineri V.; BakMisiuk J.; Gawlik L.; Bryja L.; Jun J.
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
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