CNR Institutional Research Information System

[object Object]

Reactive ion etching characterization of a-SiC: H in CF4/O2 plasma

Verona Enrico;
1995

Abstract

[object Object]
1995
Inglese
29
1-3
176
180
2-s2.0-0029192363
http://www.scopus.com/record/display.url?eid=2-s2.0-0029192363&origin=inward
Amorphous material
RIE
Etching
Silicon carbide
1
info:eu-repo/semantics/article
262
Saggio, Giovanni; Verona, Enrico; Di Rosa, Pietro; La Monica, Sandro; Salotti, R.; Schirone, Luigi
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
01.01 Articolo in rivista
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/299165
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 19
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact