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CNR Institutional Research Information System
Field-effect transistors (FETs) with single crystals of a new phenacene-type molecule, [8]phenacene, were fabricated and characterized. This new molecule consists of a phenacene core of eight benzene rings, with an extended ?-conjugated system, which was recently synthesized for use in an FET by our group. The FET characteristics of an [8]phenacene single-crystal FET with SiO<inf>2</inf> gate dielectrics show typical p-channel properties with an average field-effect mobility, ???, as high as 3(2) cm<sup>2</sup> V<sup>-1</sup> s<sup>-1</sup> in two-terminal measurement mode, which is a relatively high value for a p-channel single-crystal FET. The ??? was determined to be 6(2) cm<sup>2</sup> V<sup>-1</sup> s<sup>-1</sup> in four-terminal measurement mode. Low-voltage operation was achieved with PbZr<inf>0.52</inf>Ti<inf>0.48</inf>O<inf>3</inf> (PZT) as the gate dielectric, and an electric-double-layer (EDL) capacitor. The ??? and average values of absolute threshold voltage, ?|V<inf>th</inf>|?, were 1.6(4) cm<sup>2</sup> V<sup>-1</sup> s<sup>-1</sup> and 5(1) V, respectively, for PZT, and 4(2) × 10<sup>-1</sup> cm<sup>2</sup> V<sup>-1</sup> s<sup>-1</sup> and 2.38(4) V, respectively, for the EDL capacitor; these values were evaluated in two-terminal measurement mode. The inverter circuit was fabricated using [8]phenacene and N,N?-1H,1H-perfluorobutyldicyanoperylene-carboxydi-imide single-crystal FETs. This is the first logic gate circuit using phenacene molecules. Furthermore, the relationship between ? and the number of benzene rings was clarified based on this study and the previous studies on phenacene single-crystal FETs.
Transistors fabricated using the single crystals of [8]phenacene
Field-effect transistors (FETs) with single crystals of a new phenacene-type molecule, [8]phenacene, were fabricated and characterized. This new molecule consists of a phenacene core of eight benzene rings, with an extended ?-conjugated system, which was recently synthesized for use in an FET by our group. The FET characteristics of an [8]phenacene single-crystal FET with SiO2 gate dielectrics show typical p-channel properties with an average field-effect mobility, ???, as high as 3(2) cm2 V-1 s-1 in two-terminal measurement mode, which is a relatively high value for a p-channel single-crystal FET. The ??? was determined to be 6(2) cm2 V-1 s-1 in four-terminal measurement mode. Low-voltage operation was achieved with PbZr0.52Ti0.48O3 (PZT) as the gate dielectric, and an electric-double-layer (EDL) capacitor. The ??? and average values of absolute threshold voltage, ?|Vth|?, were 1.6(4) cm2 V-1 s-1 and 5(1) V, respectively, for PZT, and 4(2) × 10-1 cm2 V-1 s-1 and 2.38(4) V, respectively, for the EDL capacitor; these values were evaluated in two-terminal measurement mode. The inverter circuit was fabricated using [8]phenacene and N,N?-1H,1H-perfluorobutyldicyanoperylene-carboxydi-imide single-crystal FETs. This is the first logic gate circuit using phenacene molecules. Furthermore, the relationship between ? and the number of benzene rings was clarified based on this study and the previous studies on phenacene single-crystal FETs.
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall'Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l'Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
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