Insulating Ground State of Sn/Si(111)-( V3xV3)R30°

	Anno
	
				2007
			
	Strutture organizzative
	
				Istituto dei Sistemi Complessi - ISC
			
	Appare nelle tipologie:
	
				01.01 Articolo in rivista

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/30826

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