si vuole dare una descrizione del completamento dell'apparecchiatura per la deposizione di strati epitassiali di carburo di silicio (SiC). Verranno quindi brevemente descritte le parti che compongono l'apparecchiatura. Una sezione sarà dedicata al manuale di utilizzo del reattore e alle procedure riguardanti le operazioni necessarie al funzionamento dell'apparato di crescita. In appendice saranno invece allegate le schede di sicurezza dei reagenti utilizzati. Non si entrerà nel merito della tecnologia di preparazione del carburo di silicio, già trattata nei precedenti rapporti interni. Questo Rapporto Interno documenta il completamento della macchina, inclusi i sistemi ausiliari per rendere funzionale il sistema. Descrive la gestione dell'apparecchiatura in condizioni di crescita e durante le fasi di manutenzione.
REATTORE EPITASSIALE PER CARBURO DI SILICIO
MBOSI;
2005
Abstract
si vuole dare una descrizione del completamento dell'apparecchiatura per la deposizione di strati epitassiali di carburo di silicio (SiC). Verranno quindi brevemente descritte le parti che compongono l'apparecchiatura. Una sezione sarà dedicata al manuale di utilizzo del reattore e alle procedure riguardanti le operazioni necessarie al funzionamento dell'apparato di crescita. In appendice saranno invece allegate le schede di sicurezza dei reagenti utilizzati. Non si entrerà nel merito della tecnologia di preparazione del carburo di silicio, già trattata nei precedenti rapporti interni. Questo Rapporto Interno documenta il completamento della macchina, inclusi i sistemi ausiliari per rendere funzionale il sistema. Descrive la gestione dell'apparecchiatura in condizioni di crescita e durante le fasi di manutenzione.I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
