CNR Institutional Research Information System

Wide bandgap high-density semiconductor switching device and manufacturing process thereof

Fabrizio Roccaforte
2014
2014
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Schottky contact
metal layer
wide band gap (WBG)
power device
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/321163
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