Wide bandgap high-density semiconductor switching device and manufacturing process thereof

Fabrizio Roccaforte
2014

2014
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Inglese
http://www.google.com/patents/US20150372093
Schottky contact
metal layer
wide band gap (WBG)
power device
3
06 Brevetti::06.01 Brevetto di invenzione industriale
none
Saggio, Mario; Rascunà, Simone; Roccaforte, Fabrizio
info:eu-repo/semantics/patent
285
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/321163
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