L'impiantazione con ioni di fosforo, seguita da tre differenti tecniche di annealing (termico, laser e a fascio di elettroni pulsato), è stata impiegata per la fabbricazione di celle solari al silicio. Vengono confrontati i risultati delle diverse metodologie in termini di efficienza delle celle solari e presenza di difetti strutturali.
The effects of laser and electron beam annealing on ion implanted silicon solar cells
G Miccoli;
1980
Abstract
L'impiantazione con ioni di fosforo, seguita da tre differenti tecniche di annealing (termico, laser e a fascio di elettroni pulsato), è stata impiegata per la fabbricazione di celle solari al silicio. Vengono confrontati i risultati delle diverse metodologie in termini di efficienza delle celle solari e presenza di difetti strutturali.File in questo prodotto:
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