Ultralow amplified spontaneous emission threshold employing an ambipolar semiconducting host matrix

S Toffanin;R Capelli;M Muccini;
2010

2010
Istituto per lo Studio dei Materiali Nanostrutturati - ISMN
114
120
127
3
info:eu-repo/semantics/article
262
S. Toffanin; R. Capelli; M. Muccini; T.Y. HWU; K.T. Kong; T. Plotzing; M. Forst
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
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