CNR Institutional Research Information System

[object Object]

A model for TID effects on floating gate memory cells

2004

Abstract

[object Object]
2004
Istituto per la Sintesi Organica e la Fotoreattivita' - ISOF
Inglese
WOS:000225718300100
51
6
3753
3758
6
2-s2.0-11044222874
Sì, ma tipo non specificato
Floating gate (FG) memory arrays
Gamma rays
Irradiation
Single event effects (SEE)
Total ionizing dose (TID)
X-rays
6
info:eu-repo/semantics/article
262
Giorgio, Cellere; Paccagnella, A; Angelo, Visconti; Bonanomi, M; Paolo, Caprara; Lora, S
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
01.01 Articolo in rivista
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/36284
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 61
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 52
social impact