Reliability impact of chalcogenide-structure relaxation in phase change memory (PCM) cells Part II: Physics-based modeling

2009

2009
Istituto di fotonica e nanotecnologie - IFN
56
1078
1085
4
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262
Lavizzari, S; Ielmini, D; Sharma, D; L Lacaita, A
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
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