CNR Institutional Research Information System

N. D.

SCHOTTKY-LIKE BEHAVIOR OF THE GaP(110)/Ag INTERFACE

1989

Abstract

N. D.
1989
Istituto di Struttura della Materia - ISM - Sede Roma Tor Vergata
Fermi-level pinning
surface states
Schottky barriers
GaP
photoemission
01.01 Articolo in rivista
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/380630
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