Study of in-gap defects in intrinsic and B-doped a-Si1-xCx:H by photo-induced optical absorption and photoluminescence

2006

2006
Istituto per i Processi Chimico-Fisici - IPCF
352
2647
2651
6
info:eu-repo/semantics/article
262
F G, Della Corte; M G, Donato; Messina, G; M A, Nigro; Santangelo, S; Summonte, C
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
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