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We demonstrate high photoresponse in two types of graphene/silicon heterojunctions, fabricated by transferring CVD-graphene on flat or patterned n-Si substrates.

Invited talk - Graphene/silicon schottky diodes for photodetection

Giubileo F;
2018

Abstract

We demonstrate high photoresponse in two types of graphene/silicon heterojunctions, fabricated by transferring CVD-graphene on flat or patterned n-Si substrates.
2018
Istituto Superconduttori, materiali innovativi e dispositivi - SPIN
Inglese
2017 IEEE 12th Nanotechnology Materials and Devices Conference, NMDC 2017
2018-January
45
46
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-85048042577&partnerID=q2rCbXpz
2-4/10/2017
Singapore
Heterojunctions
Nanotechnology
Schottky barrier diodes
2-s2.0-85048042577
1
none
Di Bartolomeo A.; Luongo G.; Iemmo L.; Giubileo F.; Niu G.; Lupina G.; Schroeder T.
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
04.01 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/426004
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