Photodetectors based on carbon nanotube/n-silicon heterojunction can be applied in all the technology fields where a spectral range from near ultraviolet to near infrared and a response time of a few nanoseconds are necessary.

Carbon Nanotube Film/Silicon Heterojunction Photodetector for New Cutting-Edge Technological Devices

Scagliotti Mattia;Catone Daniele;
2021

Abstract

Photodetectors based on carbon nanotube/n-silicon heterojunction can be applied in all the technology fields where a spectral range from near ultraviolet to near infrared and a response time of a few nanoseconds are necessary.
2021
Istituto di Struttura della Materia - ISM - Sede Roma Tor Vergata
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM - Sede Secondaria Roma
Inglese
11
2
606
15
https://www.mdpi.com/2076-3417/11/2/606
Esperti anonimi
single wall carbon nanotubes
silicon
photodetector
broadband
Internazionale
Elettronico
No
8
info:eu-repo/semantics/article
262
Scagliotti, Mattia; Salvato, Matteo; Frezza, Federico; Catone, Daniele; Di Mario, Lorenzo; Boscardin, Maurizio; De Crescenzi, Maurizio; Castrucci, Pao...espandi
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/426792
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