CNR Institutional Research Information System

[object Object]

Defect creation and Diffusion under electric fields from first-principles: The prototypical case of silicon dioxide

De Gironcoli S;Giacomazzi L;
2019

Abstract

[object Object]
2019
Istituto Officina dei Materiali - IOM -
Inglese
2019 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
2019-September
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-85074324289&partnerID=q2rCbXpz
Sì, ma tipo non specificato
4-6 Sept. 2019
Udine (IT)
silicon dioxide
2-s2.0-85074324289
WOS:000651583400054
9
none
Salles, N; Martinsamos, L; De Gironcoli, S; Giacomazzi, L; Valant, M; Hemeryck, A; Blaise, P; Sklenard, B; Richard, N
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
04.01 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/428223
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