The impact of SiC substrate treatment on the heteroepitaxial growth of GaN by plasma assisted MBE

	Anno
	
				2005
			
	Strutture organizzative
	
				Istituto di Nanotecnologia - NANOTEC
			
	Appare nelle tipologie:
	
				01.01 Articolo in rivista

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/429750

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