The impact of SiC substrate treatment on the heteroepitaxial growth of GaN by plasma assisted MBE

M Losurdo;MM Giangregorio;P Capezzuto;G Bruno
2005

2005
Istituto di Nanotecnologia - NANOTEC
40
997
1002
4
info:eu-repo/semantics/article
262
A.S. Brown; M. Losurdo; T.H. Kim; M.M. Giangregorio; S. Choi; M.Morse; P. Wu; P. Capezzuto; G. Bruno
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
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