Migration and interaction of point defects at room temperature in crystalline silicon

Privitera V;
1998

1998
TRANSIENT BORON-DIFFUSION; MEV IMPLANTED SI; IRRADIATED SILICON; MOLECULAR-DYNAMICS; DOPANT DIFFUSION; SELF-DIFFUSION; DEPTH PROFILES; VACANCY-TYPE; INTERSTITIALS
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/4417
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact