This paper investigates the effects induced by terrestrial neutrons on the newest SiC HV Power MOSFETs to verify if they are more or less robust of standard silicon components
Are SiC HV power MOSFETs more robust of standard silicon devices when subjected to terrestrial Neutrons?
Giuseppe Consentino;
2015
Abstract
This paper investigates the effects induced by terrestrial neutrons on the newest SiC HV Power MOSFETs to verify if they are more or less robust of standard silicon componentsFile in questo prodotto:
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