This paper investigates the effects induced by terrestrial neutrons on the newest SiC HV Power MOSFETs to verify if they are more or less robust of standard silicon components

Are SiC HV power MOSFETs more robust of standard silicon devices when subjected to terrestrial Neutrons?

Giuseppe Consentino;
2015

Abstract

This paper investigates the effects induced by terrestrial neutrons on the newest SiC HV Power MOSFETs to verify if they are more or less robust of standard silicon components
2015
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
978-3-8007-3924-0
HV Power MOSFETs
Neutrons
Reliability
Testrial Cosmic Rays
SiC
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/520515
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