This paper implements an experimental comparison of electro-thermal behaviour between Planar and SJ HV Power MOSFETs when work in Linear Zone operating conditions

HV Power MOSFETs working in Linear Zone: performances comparison between standard Planar and SJ devices

Giuseppe Consentino
2015

Abstract

This paper implements an experimental comparison of electro-thermal behaviour between Planar and SJ HV Power MOSFETs when work in Linear Zone operating conditions
2015
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
978-3-8007-3924-0
HV Power MOSFETs
Thermal instability
Characterization
Linear Zone
Planar Technology
SJ Technology
File in questo prodotto:
File Dimensione Formato  
article_pcim2015.pdf

non disponibili

Licenza: NON PUBBLICO - Accesso privato/ristretto
Dimensione 562.52 kB
Formato Adobe PDF
562.52 kB Adobe PDF   Visualizza/Apri   Richiedi una copia

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/520519
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact