This paper studies the relationship between the dissipated power and the main electrical parameters of power MOSFETs in a Unclamped Inductive Switching (UIS) test and, in particular, the inductance L. © VDE VERLAG GMBH.

Study of the dependence between the dissipated power and the inductance when an HV power MOSFET works in UIS passive mode test

Consentino G.;
2014

Abstract

This paper studies the relationship between the dissipated power and the main electrical parameters of power MOSFETs in a Unclamped Inductive Switching (UIS) test and, in particular, the inductance L. © VDE VERLAG GMBH.
2014
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
978-3-8007-3603-4
Power MOSFETs
Characterization
Unclamped Inductive Tests
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/520528
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