The large application of transparent and conducting layers justifies the search of an easy deposition technique, like the thermal evaporation in vacuum. In the present work we optimize Indium Tin Oxide evaporation technique (16% In2O3, 84% SnO2). Then we have studied the electrooptical properties of these films that have been oxided by two different annealing techniques.
La vasta applicazione di film conduttori e trasparenti giustifica la ricerca di una tecnica di deposizione semplice ed economica, quale l'evaporazione termica in vuoto. Nel presente lavoro viene effettuata un'ottimizzazione di tale tecnica per la crescita di film sottili di Indium Tin Oxide (16% In2O3, 84% SnO2) . Successivamente vengono analizzate le proprietà elettroottiche di tali film ossidati con due diverse tecniche di annealing.
Proprietà elettroottiche di strati di indium tin oxide (I.T.O.) depositati per evaporazione termica in vuoto
A Bearzotti;C Caliendo;
1987
Abstract
The large application of transparent and conducting layers justifies the search of an easy deposition technique, like the thermal evaporation in vacuum. In the present work we optimize Indium Tin Oxide evaporation technique (16% In2O3, 84% SnO2). Then we have studied the electrooptical properties of these films that have been oxided by two different annealing techniques.I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
