CNR Institutional Research Information System

In depth analysis of channel length, fin width (down to 10 nm) impacts on Fowler-Nordheim program/erase characteristics of Si-NC SOI FinFlash memories

Lombardo S;Bongiorno C;
2007
2007
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
04.01 Contributo in Atti di convegno
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