CNR Institutional Research Information System

In depth analysis of channel length, fin width (down to 10 nm) impacts on Fowler-Nordheim program/erase characteristics of Si-NC SOI FinFlash memories

Lombardo S;Bongiorno C;
2007
2007
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
22nd Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop, 2007 IEEE
Sì, ma tipo non specificato
Monterey CA (USA)
2
none
Perniola L; Razafindramora J; Nowak E; Scheiblin P; Jahan C; Gély M; Vizioz C; Allain F; Lombardo S; Bongiorno C; Reimbold G; Boulanger F; De Salvo B;...espandi
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
04.01 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/69281
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