Hybrid silicon nanocrystals/SiN charge trapping layer with high-k dielectrics for FN and CHE programming

Bongiorno C;Lombardo S;
2010

2010
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
International Symposium on VLSI Technology, Systems, and Applications (VLSI-TSA)
Sì, ma tipo non specificato
Hsin Chu, Taiwan
2
none
Gay G; Molas G; Bocquet M; Jalaguier E; Gely M; Masarotto L; Colonna JP; Grampeix H; Martin F; Brianceau P; Vidal V; Kies R; Bongiorno C; Lombardo S; ...espandi
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/70179
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact