CNR Institutional Research Information System

Evaluation of the degradation of floating-gate memories with Al2O3 tunnel oxide

Bongiorno C;Lombardo S
2006
2006
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
36th European Solid-State Device Research (ESSDERC) Conference
Sì, ma tipo non specificato
Montreux (Svizzera)
9
none
Buckley, J; Molas, G; Gély, M; Martin, F; De Salvo, B; Deleonibus, S; Pananikakis, G; Bongiorno, C; Lombardo, S
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
04.01 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/73016
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