Quantum-confined direct-gap transitions in tensile-strained Ge/SiGe multiple quantum wells

	Anno
	
				2011
			
	Strutture organizzative
	
				Istituto Nanoscienze - NANO
			
	Appare nelle tipologie:
	
				01.01 Articolo in rivista

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/73392

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