CNR Institutional Research Information System

Thermal annealing effects on the interface state density of MOS capacitors with ECR-PECVD SiO2

L Maiolo;A Pecora;G Fortunato
2006
2006
Istituto di fotonica e nanotecnologie - IFN
Proceedings of E-MRS
No
Nice
2
none
L. Maiolo; A. Pecora; M. Cuscunà;G. Fortunato
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
04.01 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/76008
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